삼성전자 세계 최초 혁신공정 적용한 차세대 DDR5 D램 개발

2021. 03. 25

삼성전자가 세계 최초 혁신공정을 적용한 차세대 DDR5 D램을 개발했다는 소식입니다.

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삼성전자가 세계 최초 혁신공정을 적용한 차세대 DDR5 D램을 개발했다는 소식입니다. 안녕하세요 정보가 세상을 바꾼다 인포뱅크 입니다 이번에 전해드릴 내용은 삼성전자 세계 최초 혁신 공정 적용한 차세대 ddr5 개발에 대해서 한번 알아보겠습니다 여러분의 구독 좋아요 한번씩 눌러 주시고 이야기 시작을 해보겠습니다 지금 삼성전자가 세계 최초 혁신 공정 hk mg 를 적용한 차세대 ddr5 개발에 대해서 이번에는 알아보겠습니다 삼성전자가 혁신 공정을 적용한 차세대 d 램 ddr5 개발에 성공 했습니다 반도체 공정의 미세화 를 수반하는 기술적 난제 인 누설 전류 제어를 효율적으로 하는 하이 km 메탈 게이트 공정을 더 위반 것인데요 여기서 눈여겨 봐야 될 것은 누설 전류 제어 입니다 누설 전류를 제어를 하게 되면 이 전력이 누설이 되지 않으면 전력을 훨씬 더 극대화 시킬 수 있겠죠 극대화를 시킬 수 있다라는 것은 그만큼 전력이 적게 소모 된다 라는 것까지 일단 생각을 해보면 좋겠습니다 있 1m 은 슈퍼컴퓨팅 인공지능 빅데이터 등 미래 산업 발전 의 핵심 부품의 기능 r 전망으로 지금 보이고 있는데요 이 15일 삼성전자에 따르면 이번에 개발한 ddr5 에 모듈의 영향은 512 기가바이트 이번에 개발한 모듈은 곳 용량 고성능 위에도 불구하고 상대적으로 낮은 전력이 필요로 해서 노 서류를 차단을 시켜 버리기 때문에 그 누설전류 까지 다 수용을 할 수 있다는 거죠 그래서 낮은 전력 으로도 사용이 가능하죠 그래서 데이터 센터 차세대 컴퓨팅 인공지능 등에 적합하다 는 지금 말이 드리고 있습니다 이를 통하여 첨단 산업 발전의 핵심 솔루션 역할을 할 것으로 기대가 되고 있어요 ddr5 는 차세대 d 램 규격 으로서 기존의 ddr4 대비 2배 이상의 성 그리고 향후 데이터 전통 속도가 7,200 메가 bps 로 확장될 전망이다 지금 일단 봐야 될 것이 ddr5 이익 지금 개발 들이 다 들라고 있다는거죠 지금 현재 주류는 비결 봅니다 그런데 지금 문제는 하나가 있어요 뒤 겔 파일과 나오더라도 문제가 하나가 있는게 ddr5 를 그 이용을 해 줄 cpu 가 없다는 게 문제입니다 이 cpu 는 하반기의 인텔과 amd 에서 지금 나올 예정이어서 이것을 만약 하게 되면 ddr5 는 더욱 더 빠른 속도록 판매가 많이 될 것이고 이것은 미리 준비하려고 하는 삼성전자를 지금 보시면 되겠습니다 2 전송 속도는 1초에 32gb 용량의 uh 영화 두 편 정도를 처량 쓰는 속도 락 에서 굉장히 빠른 속도라고 지금 보시면 되겠어요 특히 삼성전자는 미래의 산업을 요구하는 플랫폼은 적은 소모량을 낮추는 것을 관건이라고 지금 판단 아래 모듈 개발 과정에서 선제적으로 ht amg 라는 공정을 적용해서 차별화된 제품을 만들었다 라고 지금 말을 하고 있어요 이번에 적용한 ht amg 공정은 반도체 공정이 미세화 될수록 흘러야 할 곳이 아닌 다른 곳으로 흘러 버리는 누설전류 현상을 차단하는 데 초점을 맞췄어요 만약 이 가챠 땅이 됐기 때문에 어 전류의 소 목과 말하자면 전류 소모 값이라 그러면 어떻게 되세요 전류가 계속 들어오는데 이 전류를 적게 쓸 수 있기 때문에 어 컴퓨터 뿐만 아니라 반도체 했으며 그리고 pcs 며 이런 모든 것들이 다 한꺼번에 올라갈 수 있다 라는 그런 초점을 맞추게 된 것이죠 반도체 내에서 검파 전류가 흐르는 길목에 문을 적시에 빠르게 열고 닫는 것은 물론 다 쳐야하는 모레 꽈 따서 트랜지스터 동작이 기여하는 전류를 효율적으로 쓸 수 있다고 했다는 게 가장 큰 의 로 보고 있습니다 이번에 적용한 hk mg 에 공정을 알기 전에 d 램의 구조 그리고 ddm 에 트랜스 포도를 일단 파워 가도록 하겠습니다 이게 d 램의 구조되어 트랜지스터와 카페 쓰던 지금 캐 패스터 의 가장 큰 뜻은 뭐예요 축적 하다 라는 거예요 축적 가다가 원래 뜻인데 d 램의 내부는 트랜지스터와 캐스터 말하자면 전류가 흐르지 않게 지금 저장 시키고 뿌려줘 을 때 뿌려주는 이런 것을 해서 하는건데 이 두 가지로 구성돼 있죠 그래서 태피 스 터 같은 경우는 전화를 저장하는 역활 그래서 트랜스 다 넣고 빼서 입구를 여닫는 스위치 그래서 트렌스 터는 스위치가 되고 패했다는 전류를 저장했다가 필요할 때 내보낸 이런 거죠 캡에 써 절약 전화가 저장되어 있을 때는 1 그리고 영 어 기본적으로 우리가 생각을 해야 될게 반도체 라는 것은 0 1로 구성되어 있는 이 진법을 살며 그래서 이진법 을 사용해서 1일 때는 어떻게 되겠어요 저장이 되어 있다 0 일때는 없다라고 지금 인식을 하면서 데이터를 저장할 수 있다 라는 것이죠 그리고 dm 트랜지스터 구조를 일단 파업을 하면 게이트라는 겠고 절연막 이라는게 꼭 이파니 라는 것입니다 이렇게 보시면 게이트 절연막 기판 있어요 그래서 트렌 즉 내부에는 소스와 2인이 있으며 전압이 걸리면 전자가 소스에서 들린 쪽으로 이동한다 라는 거죠 그래서 전화에 이동은 소스 쪽에서 드레인 쪽으로 이렇게 이동을 하게 되는데 이동을 할 때 이 절연막 이 있어서 이것의 연결시켜 주는 거죠 음 그래서 절연막 은 전자의 누설이 방지하는 역할을 하며 그 충이 두꺼울수록 저력과 크다 라고 지금 말하고 있어요 그런데 이번에 세계 최초로 ddr4 하위에 hmg 공정이 적용됐다 라고 하는데 이것은 첫번째로 보이는 것은 기존 구조 기존 구조 그런데 hk mg 는 이번에 차세대 구조 그래서 지금 전체적으로 받겠어요 어 폴리 실리콘 으로 하고 있는 것을 메탈로 바꿔버리고 요 그리고 여기 절연체 도 어 지금 하이 k 로 지금 바꿔버린 됩니다 그래서 이렇게 누설 전류를 차단을 시켜서 훨씬 더 좋게 이렇게 만들었다 라고 보시면 되겠습니다 어 지금 보시면 전송 속도도 계속 올라가요 ddr 호가 지금 2010년도 2010년도에 나왔는데 ddr5 개발은 2020년대 개발 했거든요 10년짜리 지금 사용 인데 음 그래서 지금 보면 전송속도가 벌써 2백 2개로 올랐고 그리고 모듈 최고 영양도 지금 2개로 튀었다 라는 것까지 보겠습니다 자 그래서 지금 삼성전자 어떻게 설명을 하고 있냐면 반도체 내부에서 이같은 작동이 9 가동 할수록 할 수 있는 유전율 쌍수 k 라고 있는데 이게 높은 물질을 공정을 적용해서 고성 넘 저전력을 동시에 구현할 수 있게 되었다 라고 지금 말을 하고 있어요 회 사 관계자도 이렇게 말했는데 ham ham 지 공정은 주로 시스템 반도체 공정에서 사용해봤지만 자산은 메모리 및 시스템 반도체 공정 능력을 모두 갖추고 있고 선제적으로 메모리반도체 인디 렘 에도 적용이 강했다 생각을 한번 입어 드릴께요 hk 암 지 공정은 어디서 있느냐 메모리 반도체 시스템 반도체 이게 다 있었는데 메모리 반도체 d 램 잊어 시스템 반도체 뭐예요 카운트를 분야 줘 예 파운드리 분야 하고 지금 반도 메모리 반도체 분야 이 두 가지를 한꺼번에 오너 모르고 있었기 때문에 완벽하게 이것을 구현해 낼 수 있었다 라고 지금 말을 하고 있어요 그래서 삼성전자 nhk 감지 공정에 적용 으로 새롭게 선보인 ddr5 모듈의 전력소모는 기존의 꽃보다도 13% 나 줄어 타 얘 d 일반 ddr5 보다 더 낫다라고 지금 얘기하고 있어요 또 이번에 신기술을 적용 했는데 딜에 모로는 처음으로 8단 실리콘 관통 정도 tsv 기술을 적용 했어요 이 tsv 건 무엇이냐 구멍을 뚫어서 수직으로 전력으로 전선을 내려 버리는 거에요 그래서 tsv 기술은 일단 서버용 d 램 에서만 지금 적용 해 왔었는데 이번에 범용 d 름 에도 적용 했다는 거죠 자 그래서 삼성 반도체에서 지금 나온 이야기인데요 기존 와이어 본딩 기술 어 층층이 찍을 쌓아 놓고 하나하나 이 칩 가운데 이렇게 선을 연결시켜 어떤게 일반 dms 의 범용 되요 그런데 이번에 범용 드리미 아키 sv 수직으로 구멍을 뚫어서 이것을 전력 소모를 최소화 시킨 거예요 그전에는 서브 용들의 서버 0 d 링과 같은 경우는 전력을 많이 소모하지 요 그래서 서버용 d 램 부터 먼저 적용했고 이번에는 드디어 검형 기름으로 테고 정리 옳다 이번에 개발한 ddr5 모듈은 크기를 한번 한계를 극복하기 위해서 2 만약 그 기본 본딩 시스템으로 하게 되면 어쩔 수 없이 두께가 두꺼워 줘야 돼요 그런데 에 tsv 기술을 적용하면 적층 형식이 될 수 있거든요 적층형 하시게 될 수 있기 때문에 얻어 크기를 줄일 수도 있고 줄이면서 같은 크기의 서도 고용량을 구현하는 바탕이 된다 라고 지금 말을 하고 있죠 소비자가 이번 제품을 활용해서 시스템을 만약 구축하게 된다면 동일한 스완지의 내에서도 최대 16 테라바이트 까지 용량 확대가 가능하다 라고 지금 말하고 있죠 그래서 또 하나 말하는 것은 인텔의 차세대 때 서브 형식 비유의 적용되는 ddr5 를 공급한다 라면까지 지금 있어서 말씀드릴께요 삼성전자는 이 외에도 인터넷 차세대 서버용 cpu 에 연결되는 ddr5 에 공급의 나섭니다 현재 서브 형 cpu 시장은 인텔이 완전히 장악하고 있어요 전세계 서버 에고 10% 를 장악하는 것을 알려주고 있고 amd 는 결국 10% 정도 거의 90% 가 인텔이 상하고 있고 여기서 인텔은 쓰기 굉장히 만난 것을 알고 있습니다 인텔 관계자는 인텔의 차세대 cpu 인 제원 스케일러블 프로세스인 사파이어 래피즈 왔고 안되는 ddr5 메모를 섬 벌기 위해서 삼성전자와 김미리 협력하고 있다 라고 까지 그 말을 하고 있어요 그리고 지금 tsv 공정 아까 말씀드렸죠 tsb 공정은 소지 그로 뚫어서 공간활용을 최소가 있다라고 지금 말 하고 있는데 2ts 뷰 2 공정 기술은 서버 0 bdr 포로 부터 시작을 했는데 이야기 해드릴께요 이번에 적용된 범용 ddr5 에 적용된 tsv d 술은 2013년도 빛 10포 써 고용 d 램의 사단 tsv 공정을 적용한 이에 64기가바이트 256gb 까지 고용량 모델 제품을 서버 시장의 적용해 봤습니다 드디어 이번에 범용 제품에도 tsv 기술을 적용해서 1단계 기술 업그레이드를 시도했다 라는게 가장 큰 의미가 되겠죠 이것을 통해서 훨씬 더 좋은 ddr5 를 만들어냈다 다른 회사들과 에 비교해서 비교우위가 있다라는 거죠 속도가 훨씬 더 빠르고요 물론 뭐 아주 많이 빠르다 라고 까지 얘기 않지만 그래도 빠르게 돌아가기 때문에 훨씬 더 pc 에 반응속도가 빨라 진다 라고 볼 수가 있어요 그래서 이것에 대해서 삼성전자 평을 하고 있는데 손영수 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 사부님은 삼성전자는 메모리 반도체와 시스템 반도체 기술 경쟁력으로 바탕으로 업계 최초로 hk mg 공정을 메모리 반도체의 적용했다 이러한 공정 혁신을 통해서 개발된 ddr5 메모리는 뛰어난 성능과 높은 에너지 효율로 자율주행 스마트시티 의료 산업 등 활용 군화가 확대될 고성능 컴퓨터 발전에 더욱 가속화 시킬 것을 기대한다 라고 지금 밝혔습니다 자 그래서 우리가 생각을 해야 될까 게 뭐냐면 이번에 ddr5 개발 이것은 단순히 ddr5 개발을 뿐만 아니라 새로운 기술을 적용해서 고성능 이면서도 더 저전력으로 갈 수 있는 한 단계 업그레이드된 다른 회사들 보다 한단계 업그레이드된 제품이 나왔다 라고 보시게 되었습니다 그래서 기술력의 삼성 이것을 다시 한번 그려내는 이번 제품의 개발이 되겠습니다 이번 내용은 여기까지구요 저흰 이미 여러분들이 도움이 됐다 라고 생각을 하시면 고속과 좋아요 그리고 알람 설정 까지 부탁 되겠습니다 감사합니다

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